據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林集團(tuán)（Lam Research）正在研發(fā)的新型選擇性刻蝕設(shè)備，因其在技術(shù)上的突破性潛力，被業(yè)界廣泛視為三星電子開發(fā)下一代存儲(chǔ)器的關(guān)鍵工具。隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)不斷微縮，傳統(tǒng)刻蝕技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)日益嚴(yán)峻，特別是在3D NAND閃存和DRAM等先進(jìn)存儲(chǔ)器制造中，對(duì)刻蝕精度、選擇性和三維結(jié)構(gòu)控制的要求達(dá)到了前所未有的高度。

選擇性刻蝕技術(shù)能夠在復(fù)雜的三維堆疊結(jié)構(gòu)中，精確地去除特定材料，同時(shí)最大限度地保護(hù)其他敏感層和結(jié)構(gòu)。這對(duì)于構(gòu)建更高層數(shù)、更小尺寸單元的3D NAND閃存至關(guān)重要。三星作為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，其下一代產(chǎn)品（如預(yù)期中的300層以上3D NAND）需要更精密的制造工藝來控制電荷陷阱層、隧穿氧化層和溝道等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。泛林集團(tuán)在該領(lǐng)域的進(jìn)展，可能為三星提供克服當(dāng)前技術(shù)瓶頸、實(shí)現(xiàn)更高存儲(chǔ)密度和更低功耗的解決方案。

在DRAM領(lǐng)域，隨著工藝向10納米以下演進(jìn)，電容器和晶體管的結(jié)構(gòu)也日趨復(fù)雜。選擇性刻蝕技術(shù)有助于形成更精細(xì)、更均勻的深寬比結(jié)構(gòu)，這對(duì)于維持DRAM單元的電荷存儲(chǔ)能力和穩(wěn)定性至關(guān)重要。三星在下一代DRAM（如DDR6、LPDDR6及新興的CXL存儲(chǔ)器）的開發(fā)中，對(duì)能夠?qū)崿F(xiàn)原子級(jí)精度和優(yōu)異均勻性的刻蝕工藝需求迫切。

選擇性刻蝕技術(shù)對(duì)于整合新材料（如鐵電材料、相變材料等）也具有重要意義，這些材料可能是未來存儲(chǔ)器的變革性元素。泛林集團(tuán)的設(shè)備若能在選擇性和工藝控制上實(shí)現(xiàn)突破，將極大地加速新材料從研發(fā)到量產(chǎn)的進(jìn)程。

韓媒分析指出，三星與泛林集團(tuán)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域長(zhǎng)期保持著緊密的合作關(guān)系。此次技術(shù)開發(fā)若取得成功，不僅將鞏固三星在尖端存儲(chǔ)器市場(chǎng)的技術(shù)領(lǐng)先地位，還可能重塑全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局。目前，該技術(shù)的具體細(xì)節(jié)和商業(yè)化時(shí)間表尚未完全公開，但其潛在的行業(yè)影響力已引發(fā)高度關(guān)注。業(yè)界正密切關(guān)注泛林集團(tuán)的研發(fā)進(jìn)展以及三星可能的早期技術(shù)驗(yàn)證與導(dǎo)入計(jì)劃。